Affichage LCD TFT de 0,96 pouce

L'écran TFT est équipé d'un tuyau lumineux spécial à l'arrière du cristal liquide, qui peut contrôler activement divers pixels indépendants à l'écran. Il s'agit de l'origine du soi-disant matrice active TFT (matrice active TFT), qui peut considérablement améliorer le temps de réponse. D'une manière générale, le temps de réponse du TFT est relativement rapide, environ 80 millisecondes, tandis que STN est de 200 millisecondes. Si une amélioration est nécessaire, le scintillement se produira de la matrice passive OLED . Et parce que le TFT est un écran LCD à matrice active, il peut mémoriser la disposition du cristal liquide, et il ne reviendra pas à son état d'origine immédiatement après que le courant ait disparu .

L'affichage de l'affichage TFT adopte le mode d'éclairage en arrière-transparent - le chemin de source de lumière supposé n'est pas de haut en bas comme TNLCD, mais du bas en haut de 0,96 pouce OLED . Cette méthode consiste à régler un tuyau léger spécial à l'arrière de l'écran LCD, et la source lumineuse pénètre vers le haut à travers le polariseur inférieur lorsqu'il est irradié. Étant donné que les électrodes intercouches supérieures et inférieures sont modifiées en électrodes FET et électrodes courantes, lorsque les électrodes FET sont activées, les performances des molécules LCD changent également et que le but de l'affichage peut être atteint par le bouclier léger et la transmission légère. Le temps de réponse est considérablement amélioré à environ 80 millisecondes. Parce qu'il a un rapport de contraste plus élevé, des couleurs plus riches et une fréquence de mise à jour d'écran plus rapide que TN-LCD, le TFT est communément appelé VRAIE couleur 0,42 à 1,3 pouce OLED .

Par rapport à DSTN, la principale caractéristique de TFT-LCD est de configurer un dispositif de commutation semi-conducteur pour chaque pixel. Parce que chaque pixel peut être directement contrôlé par des impulsions de points. Par conséquent, chaque nœud est relativement indépendant et peut être contrôlé en continu. Cette méthode de conception améliore non seulement la vitesse de réponse de l'écran d'affichage, mais contrôle également avec précision le niveau de gris d'affichage, c'est pourquoi la couleur du TFT est plus réaliste que DSTN.

TFT améliore également le flou du scintillement STN (ondulation de l'eau) et améliore efficacement la capacité de jouer des images dynamiques. Par rapport à STN, TFT a une excellente saturation des couleurs, une capacité de récupération et un contraste plus élevé, mais l'inconvénient est une consommation élevée de puissance et un coût élevé.

Caractéristiques techniques de l'écran LCD TFT

La technologie TFT a été développée dans les années 1990. La technologie de fabrication de circuits intégrée complète à grande échelle à grande échelle utilisant de nouveaux matériaux et de nouveaux processus est la base des affichages plats à écran plat à cristal liquide, inorganiques et organiques. Le TFT est une tranche non single comme le verre ou le substrat en plastique (bien sûr, il peut également être sur une tranche). Divers films minces requis pour les circuits de fabrication sont formés par des techniques de pulvérisation et de dépôt chimique, et des circuits intégrés à grande échelle (LSIC) sont fabriqués par un traitement à couches minces. L'utilisation de substrats à cristal non tootoutières peut réduire considérablement les coûts. Il s'agit d'une extension des circuits intégrés traditionnels à grande échelle dans des directions à grande région, multifonction et à faible coût. Il est plus difficile de fabriquer des TFT qui contrôlent les performances de commutation de pixel (LC ou OLED) sur un substrat en verre ou en plastique de grande région que de fabriquer des circuits intégrés à grande échelle sur le silicium. Les exigences pour l'environnement de production (degré de purification sont de 100), les exigences pour la pureté des matières premières (la pureté du gaz électronique est de 99,9999985%), et les principales exigences pour l'équipement de production et l'équipement de production dépassent la technologie semi-conductrice.